Indra pone en marcha la primera fábrica española de chips clave para la Defensa

Galicia avanza como actor destacado en la industria de la defensa. Se ha colocado la primera piedra, en Vigo, de la primera fábrica española de chips basados en nitruro de galio, una tecnología “crítica y cada vez más demandada en los sectores de defensa y aeroespacial por sus aplicaciones en radiofrecuencia y radares”.

Se trata de la factoría Sparc Foundry, de la que Indra es socio mayoritario con un 37% del capital y que está participada por la SEPI Digital en un 31,8% y en un 8% por el fondo Vigo Activo.

Según indica la compañía de Ángel Escribano, “se trata de un proyecto único por sus características en España y una de las iniciativas europeas más ambiciosas de producción de chips”.

Está previsto que la fábrica de semiconductores de Sparc entre en operación durante el año que viene. Situada en el parque tecnológico de Valladares, contará con un centro de I+D, una forma de formación y otra de oficinas y generará 200 empleos directos de alta cualificación y 550 indirectos, según sus promotores.

Indra: una fábrica pionera en Vigo

La nueva instalación se ubicará en el parque tecnológico de Valadares, en Vigo, y será la primera factoría del país especializada en nitruro de galio, un compuesto que permite fabricar dispositivos electrónicos capaces de trabajar a potencias y frecuencias mucho más altas que las soluciones tradicionales de silicio.

Según explica la propia compañía, estos chips son esenciales para los radares de antena activa de barrido electrónico (AESA), los sistemas de defensa electrónica, las comunicaciones militares, los satélites y los sistemas de energía dirigida por radiofrecuencia, tecnologías todas ellas en el núcleo de los programas de modernización de las fuerzas armadas y de numerosas aplicaciones duales civiles.

El proyecto de Vigo forma parte de la hoja de ruta de SPARC Foundry, plataforma industrial impulsada por varios socios públicos y privados en la que, además de Indra, participa la Sociedad Española para la Transformación Tecnológica, que ha aportado financiación adicional para impulsar el desarrollo de semiconductores avanzados en España.

La planta contará, además de con la línea de producción de obleas, con un centro de investigación y desarrollo, áreas de formación y oficinas técnicas, lo que la convierte en un nodo de innovación y de transferencia tecnológica más allá de la pura fabricación.

Las previsiones manejadas por la empresa apuntan a que la fábrica generará alrededor de 200 empleos directos de alta cualificación y unos 550 empleos indirectos, vinculados tanto a la cadena de suministros industriales como a servicios avanzados en el entorno del área metropolitana de Vigo.

El objetivo es que las instalaciones entren en operación a lo largo de 2027, alcanzando una capacidad de producción de hasta 20.000 obleas al año en semiconductores de nitruro de galio, según han adelantado fuentes del proyecto

Indra como empresa tractora

Para Indra, este movimiento refuerza su papel como empresa tractora de la industria aeroespacial y de defensa en España, en línea con la estrategia de la Unión Europea de reforzar las capacidades propias en tecnologías críticas.

Distintas publicaciones especializadas subrayan que la iniciativa de Vigo se sitúa entre las tres más ambiciosas de Europa en el campo de los semiconductores de GaN, lo que abre la puerta a colaboraciones con otros grandes fabricantes continentales y a la integración en las cadenas de valor que se están configurando al calor de los programas europeos de chips y de defensa común

Más allá de la dimensión industrial, la apuesta de Indra por el nitruro de galio obedece a razones puramente tecnológicas. Directivos de la compañía han explicado en varias ocasiones que el uso de este material multiplica por diez la potencia de los radares, los sistemas de defensa electrónica, las comunicaciones, los satélites y los sistemas de energía dirigida de radiofrecuencia, lo que se traduce en mayor alcance de los sensores, mejor capacidad de autoprotección y más eficacia en misiones de guerra electrónica

El nitruro de galio posee una banda prohibida ancha, es decir, una estructura electrónica que le permite soportar campos eléctricos mucho más intensos antes de romperse, y una gran capacidad para trabajar a altas temperaturas cuando se combina con sustratos de carburo de silicio que favorecen la disipación térmica.

Estas características lo convierten en un material idóneo para operar en entornos extremos como el de los cazas de combate, los buques o los satélites en órbita. De hecho, Indra ya integra esta tecnología en algunos de sus radares AESA para el Eurofighter y en la familia de radares Lanza, así como en soluciones de vigilancia espacial y de guerra electrónica que ahora podrán abastecerse de una producción más cercana y controlada